Centres de données IA à l’échelle du mégawatt : le rôle clé des technologies SiC JFET

Vers des architectures de puissance adaptées à l’IA générative - par Sally Feng, Onsemi

  • Elite SiC JFET  - Onsemi
    Elite SiC JFET - Onsemi
  • Le JFET en carbure de silicium (SiC) présente une zone d’instabilité thermique très réduite en mode linéaire. - Onsemi
    Le JFET en carbure de silicium (SiC) présente une zone d’instabilité thermique très réduite en mode linéaire. - Onsemi

l’IA générative, transforme profondément les exigences des centres de données. L’augmentation rapide de la densité de calcul, portée par les GPU et ASIC spécialisés, entraîne une croissance continue des besoins énergétiques, avec des baies de serveurs évoluant vers des niveaux de puissance de plusieurs centaines de kilowatts, voire du mégawatt.

La transition vers des bus DC haute tension

Pour répondre à ces contraintes, les centres de données IA s’orientent vers des architectures HVDC, typiquement en 400 VDC ou 800 VDC, intégrant des étages de conversion simplifiés et des transformateurs à semi-conducteurs.

Apports des SiC Cascode JFET dans les alimentations serveurs

Dans les unités d’alimentation des serveurs, les SiC Cascode JFET constituent une alternative aux MOSFET silicium et aux MOSFET SiC conventionnels.

Hot-swap haute tension et robustesse en mode linéaire

Les fonctions Hot-swap et e-Fuse prennent une importance croissante dans les architectures HVDC des centres de données IA.

Conclusion

Les technologies SiC JFET constituent un levier clé pour accompagner la transition des centres de données vers des architectures à très haute puissance.

Livre blanc en téléchargement en haut de page.

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