Face aux exigences croissantes en matière d'efficacité énergétique des alimentations à découpage industrielles, les concepteurs recherchent des composants capables de limiter les pertes tout en supportant des courants élevés. Le nouveau MOSFET de puissance canal N TPM1R408RH de Toshiba répond à cet objectif grâce à la technologie de fabrication U-MOS11-H. Destiné notamment aux alimentations des centres de données et des stations de base de communication, il combine une très faible résistance à l'état passant avec une commutation rapide afin d'améliorer les performances globales des systèmes.
Une réduction des pertes de conduction et de commutation
Le composant présente une tension drain-source de 80 V et affiche une résistance à l'état passant (RDS(ON)) maximale de seulement 1,4 mΩ sous 10 V de tension grille-source. Cette valeur représente une amélioration d'environ 26 % par rapport à la génération précédente utilisant la technologie U-MOS X-H.
Le MOSFET optimise également le compromis entre la résistance à l'état passant et la charge totale de grille (Qg), limitée à 80 nC. Son facteur de mérite (FOM), exprimé par le produit RDS(ON) × Qg, est réduit d'environ 45 % par rapport au modèle précédent. Cette amélioration contribue à diminuer simultanément les pertes de conduction, les pertes de commutation ainsi que les pics de tension générés lors des transitions, limitant par conséquent les émissions électromagnétiques (EMI) et favorisant des fréquences de commutation élevées dans les alimentations SMPS.
Un composant conçu pour les applications industrielles à courant élevé
Le TPM1R408RH supporte un courant de drain maximal de 288 A (Tc = 25 °C), ce qui lui permet de répondre aux besoins des équipements industriels de forte puissance.
Il est intégré dans le boîtier compact SOP Advance(E), dont la conception réduit d'environ 65 % la résistance électrique du boîtier et d'environ 15 % sa résistance thermique par rapport au boîtier SOP Advance(N). Cette évolution facilite la réalisation d'équipements plus compacts tout en améliorant la dissipation thermique.
Afin d'accompagner le développement des alimentations, Toshiba met également à disposition plusieurs modèles SPICE. Aux modèles G0, destinés à la validation rapide des circuits, s'ajoutent désormais des modèles G2 SPICE offrant une simulation plus fidèle des caractéristiques transitoires. Ces outils permettent d'accélérer la conception et la validation des alimentations à découpage destinées aux applications industrielles les plus exigeantes.
La mission de PEI est de fournir à ses lecteurs des informations sur les nouveaux produits et services liés au secteur de l'industrie et qui sont disponibles sur le marché français. 
