Toshiba Electronics Europe a lancé un photo-relais spécialement conçu pour réduire la perte d'insertion et supprimer l'atténuation de puissance des signaux haute fréquence. Ce dispositif est destiné à être utilisé dans les applications de test de semi-conducteurs, notamment les testeurs de mémoire à grande vitesse, les testeurs logiques à grande vitesse ou les cartes à sonde. Grâce à la conception optimisée du boîtier, le photo-relais TLP3475W diminue la capacité et l'inductance parasites, réduisant ainsi la perte d'insertion des signaux dans la plage de fréquences de 20GHz (typ.). Cela représente une amélioration de 1,5 fois les performances par rapport au dispositif TLP3475S existant.
Le courant (IFT) requis pour piloter la Led est inférieur à 3,0 mA et la résistance à l'état passant (RON) est typiquement de 1,1Ω. La tension d'isolement (BVs) dépasse 300Vrms et la capacité de sortie (COff) est inférieure à 20pF, ce qui contribue à des temps de commutation de l'ordre de 2 ms. Il offre une fonction normalement ouverte (NO)/1-Form-A.
Boîtier VSON4 de 1,45 mm x 2,0 mm x 0,8 mm
Le TLP3475W est logé dans un boîtier WSON4 mesurant seulement 1,45 mm x 2,0 mm x 0,8 mm (typ.), ce qui en fait l'un des plus petits photo-relais actuellement disponibles. Il est 40% plus petit que le boîtier ultra-compact S-VSON4T de Toshiba et s'avère particulièrement utile dans les conceptions multicanaux où plusieurs appareils sont déployés sur une seule carte.
La plage de températures de fonctionnement s'étend de -40ºC à +110ºC, ce qui en fait un candidat parfait pour les applications industrielles, notamment pour les tests de semi-conducteurs à grande vitesse.
