Des MOSFET 600 V refroidis par le dessus

Les AOGT037V60DE2 et AOGT060V60DE2 associent la technologie Super Junction αMOS E2 à un boîtier GTPAK refroidi par la face supérieure, améliorant la dissipation thermique et la densité de puissance des convertisseurs et systèmes haute tension.

  • MOSFET 600 V : refroidissement par le dessus - Alpha and Omega Semiconductor
    MOSFET 600 V : refroidissement par le dessus - Alpha and Omega Semiconductor

Alpha and Omega Semiconductor enrichit sa gamme de composants de puissance avec deux MOSFET Super Junction 600 V, les AOGT037V60DE2 et AOGT060V60DE2. Basés sur la plateforme silicium αMOS E2, ils ciblent les alimentations à découpage, convertisseurs AC/DC et DC/DC, onduleurs solaires, entraînements moteurs et autres systèmes industriels de puissance.
Les deux composants se distinguent notamment par leur boîtier GTPAK à refroidissement par la face supérieure. L’objectif est de permettre aux concepteurs d’optimiser séparément les chemins électriques et thermiques afin de faciliter l’évacuation de la chaleur tout en réduisant l’espace occupé sur le circuit imprimé.

Deux résistances à l’état passant

L’AOGT037V60DE2 affiche une tension nominale de 600 V et une résistance RDS(on) de 37 mΩ, tandis que l’AOGT060V60DE2 présente également une tension de 600 V avec une résistance de 60 mΩ.
Les MOSFET sont destinés à différentes topologies de conversion, parmi lesquelles les circuits Boost PFC, Totem-Pole PFC, LLC résonants, PSFB et cycloconvertisseurs.

Renforcer la tenue aux contraintes électriques

La plateforme αMOS E2 intègre une diode intrinsèque conçue pour supporter des variations de courant atteignant 1 500 A/µs. Le constructeur met également en avant la tenue en avalanche UIS et la capacité de résistance au court-circuit.
Ces caractéristiques visent à maintenir le fonctionnement des systèmes lorsque les composants sont soumis à des régimes électriques transitoires ou anormaux. La diode intrinsèque rapide est par ailleurs conçue pour réduire la charge de recouvrement inverse Qrr dans les applications soumises à de fortes contraintes.

Optimiser le chemin thermique

Contrairement à une architecture où l’évacuation thermique s’effectue principalement par le dessous du composant et le circuit imprimé, le boîtier GTPAK exploite une surface de refroidissement située sur sa face supérieure.
Cette conception permet de diriger la chaleur vers le système de refroidissement tout en conservant les connexions électriques vers le PCB. Elle peut ainsi contribuer à libérer de la surface sur la carte et à augmenter la densité de puissance du système.
Les broches de type Gull-Wing sont également destinées à renforcer la fiabilité mécanique des connexions au niveau du circuit imprimé. Les deux références sont proposées pour les infrastructures de puissance, alimentations haute performance et systèmes d’énergie renouvelable.
 

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