Innoscience ouvre un centre européen de R&D dans la « GaN Valley » belge

Innoscience, société fondée pour rendre l'écosystème énergétique mondial plus vert et plus durable, grâce à des solutions de puissance en nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si) performantes et économiques, étend sa présence en Europe avec un centre de R&D à Louvain, en Belgique. Cette activité de R&D sur les dispositifs de puissance GaN en Belgique est dirigée par Jan Šonský, qui a rejoint Innoscience en tant que vice-président R&D. Il possède 20 ans d'expérience en R&D dans l'industrie des semi-conducteurs. La nouvelle activité de R&D d'Innoscience est située, à proximité de l'Imec - centre d'excellence très réputé en technologie avancée de semi-conducteurs - et de l’Université catholique de Louvain, connue pour ses activités en électronique de puissance. La société souhaite attirer les meilleurs talents pour mettre en œuvre son ambitieuse feuille de route technologique, et devenir le leader incontesté des solutions de puissance GaN. Ce centre de R&D va jouer un rôle important dans l'amélioration de la technologie et des produits GaN d'Innoscience, tant en termes de performance que de fiabilité, afin d’aider l'entreprise à rester à la pointe de l'innovation technologique en matière de GaN.