L'augmentation de la tension des réseaux d'alimentation constitue l'une des voies utilisées pour réduire les pertes dans les équipements industriels. Toshiba observe notamment une évolution des architectures traditionnelles 12 et 24 V vers le 48 V, qui impose parallèlement de revoir le dimensionnement des composants de puissance.
Sur une ligne 48 V, les courants d'appel et les surtensions peuvent en effet porter momentanément la tension au-delà de 50 V, voire jusqu'à 80 V. Le recours à des MOSFET capables de supporter 100 V permet de disposer de la marge nécessaire, tout en recherchant une faible résistance à l'état passant pour limiter les pertes.
Neuf MOSFET pour les lignes 24 et 48 V
La nouvelle gamme comprend neuf MOSFET de puissance à canal N. Trois modèles 100 V sont destinés aux alimentations 48 V, tandis que six composants 60 V ciblent les architectures 24 V.
Pour les lignes 48 V, les SSM3K387R, SSM6K387R et SSM6K387NU présentent une résistance RDS(ON) de 198 mΩ. Pour les systèmes 24 V, Toshiba propose deux séries de composants 60 V : l'une avec une RDS(ON) de 99 mΩ, l'autre de 200 mΩ.
Trois boîtiers selon la contrainte thermique
Au-delà des caractéristiques électriques, Toshiba décline chaque série dans trois types de boîtiers afin d'adapter l'intégration aux contraintes de la carte.
Le SOT-23F, de 2,9 × 2,4 mm, offre une dissipation de puissance de 1 W et constitue la solution la plus polyvalente. Le TSOP6F, légèrement plus grand avec 2,9 × 2,8 mm, porte cette valeur à 1,5 W pour les conceptions nécessitant une dissipation thermique supérieure.
Lorsque l'encombrement devient prioritaire, le UDFN6B réduit son empreinte à 2 × 2 mm tout en affichant une dissipation nominale de 1,25 W.
Réduire les pertes sans augmenter l'encombrement
La faible résistance à l'état passant contribue à limiter les pertes de conduction et l'échauffement des composants. L'enjeu est particulièrement important lorsque l'augmentation de la tension d'alimentation s'accompagne d'une recherche de miniaturisation de l'électronique.
Les trois formats permettent ainsi au concepteur de privilégier selon l'application la surface occupée, les performances thermiques ou la facilité d'intégration.
Toshiba destine ces MOSFET à différents équipements, parmi lesquels les automates programmables industriels, variateurs de fréquence, servomoteurs et serveurs. La gamme couvre également plusieurs applications de grande consommation.
Avec cette combinaison de tensions de 60 et 100 V et de trois formats de boîtiers, le fabricant vise ainsi les architectures d'alimentation industrielles 24 et 48 V confrontées simultanément aux contraintes de rendement, de dissipation thermique et de densité d'intégration.
La mission de PEI est de fournir à ses lecteurs des informations sur les nouveaux produits et services liés au secteur de l'industrie et qui sont disponibles sur le marché français. 
